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Cross-point resistive switching and glucose sensing by using porous Ir electrode in Ir/SiOx/W memory platform
Cross-point resistive switching and glucose sensing by using porous Ir electrode in Ir/SiOx/W memory platform
Data di pubblicazione: 1 Set 2018
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Convegno
Fonte dati: ARCHIVIO
Fonte
2018 International Conference on Solid State Devices and Materials
ID archivio
0618f3d8da3fb3f1e429b299aeb2b907
Riferimenti
Pages: 887-888
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