Sub-micron gate length MESFET on Hydrogen Terminated Polycrystalline diamond

Data di pubblicazione: 1 Gen 2007

ConvegnoFonte dati: ARCHIVIO

Sinisi, F., Mariucci, L., Rossi, MC, Conte, G., Limiti, E., Lavanga, S., et al.(2007). Sub-micron gate length MESFET on hydrogen terminated polycrystalline diamond. In Proceedings of the international symposium on microwave and optical technologies (ISMOT 2007)(pp. 185-188). Roma.

Editore
IT
Fonte
International symposium on microwave and optical technologies (ISMOT 2007)
ID archivio
211b8bde06edd8102572a690a8092a82
Riferimenti
Pages: 185-188