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Semiconductor Devices, Materials, and Processing-Structural and Optical Properties of Oxidized Porous Silicon Layers Activated by Zn2SiO4: Mn2
Semiconductor Devices, Materials, and Processing-Structural and Optical Properties of Oxidized Porous Silicon Layers Activated by Zn2SiO4: Mn2
Data di pubblicazione: 1 Gen 2002
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Rivista
Fonte dati: ARCHIVIO
Autori:
Andrea Parisini
Editore
New York, NY: Electrochemical Society, 1948-
Fonte
Journal of the Electrochemical Society
ID archivio
8df2064ac5fb38b1bda5ec924ff99c81
Riferimenti
Volume: 149 Issue: 4 Pages: G251
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