In questo lavoro di tesi, svoltosi principalmente presso l'Istituto di Fotonica e Nanotecnologie e l'Istituto per la Microelettronica e Microsistemi del CNR, si sono studiate le possibilità di integrazione di componenti elettronici quali transistor a film sottile (TFTs) in polisilicio e altri dispositivi più complessi come circuiti oscillanti, porte logiche e sensori di gas su substrati flessibili polimerici. In una prima fase del lavoro si sono investigate le proprietà fisiche e chimiche di numerosi polimeri quali Polyethylene terephthalate (PET), Polyethylene naphthalate (PEN), Polycarbonate (PC), Polyethersulfone (PES), Polycyclic Olefin (PCO), Polyarylite (PAR) e Polyimide (PI). Si sono studiate poi le caratteristiche di diversi tipi di PI depositati da fase solida o da fase liquida, essendo questo un polimero particolarmente interessante per la sua alta temperatura di vetrificazione (Tg>350°C) e per il suo basso coefficiente termico di espansione (CTE~3-20 ppm/°C). E' stato individuato, infine, un tipo di PI depositato da fase liquida, con caratteristiche fisiche e chimiche soddisfacenti per il processo di integrazione con i dispositivi in polisilicio. Nella seconda fase del lavoro si è messo a punto un processo fabbricativo a bassa temperatura (<350°C) compatibile con il substrato polimerico di PI. Per raggiungere tale obiettivo sono state utilizzate svariate tecniche di deposizione di film sottili e ricristallizzazione con l'unico scopo di ottenere buone performance in termini di caratteristiche elettriche dei dispositivi in polisilicio minimizzando il budget termico a carico del substrato plastico. A tal fine si è usata la tecnica di ricristallizzazione del silicio amorfo da laser ad eccimeri …