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Probing two-level systems with electron spin inversion recovery of defects at the interface
2020-09-28
Riferimenti:
Volume: 2 Issue: 3 Pages: 033507
Fonte:
Physical Review Research
Probing two-level systems with electron spin inversion recovery of defects at the Si/SiO2 interface
2020-01-01
Riferimenti:
Volume: 2 Pages: 033507
Fonte:
Phys. Rev. Research