Vai al contenuto
+39 095 59 68 211
Istituto di Microelettronica e Microsistemi
Facebook-f
Instagram
Linkedin-in
Youtube
IMM
Chi siamo
Sede Principale
Sedi secondarie
Agrate Brianza
Catania Università
Lecce
Messina
Roma
SETTORI DI RICERCA
Micro e nanoelettronica
Materiali e dispositivi funzionali
Fotonica
TECNOLOGIE E INFRASTRUTTURE
Sintesi e micro-nanofabbricazione
Caratterizzazione
Modellazione e simulazione
PROGETTI
PUBBLICAZIONI
PEOPLE
LAVORA CON NOI
Menu
IMM
Chi siamo
Sede Principale
Sedi secondarie
Agrate Brianza
Catania Università
Lecce
Messina
Roma
SETTORI DI RICERCA
Micro e nanoelettronica
Materiali e dispositivi funzionali
Fotonica
TECNOLOGIE E INFRASTRUTTURE
Sintesi e micro-nanofabbricazione
Caratterizzazione
Modellazione e simulazione
PROGETTI
PUBBLICAZIONI
PEOPLE
LAVORA CON NOI
NEWS
PUBBLICAZIONI
Home
»
Pubblicazioni
»
Semiconductor Devices, Materials, and Processing-Quantitative Measurements of Two-Dimensional Ultrashallow B Profiles in Si by Selective Chemical Etching
Semiconductor Devices, Materials, and Processing-Quantitative Measurements of Two-Dimensional Ultrashallow B Profiles in Si by Selective Chemical Etching
Data di pubblicazione: 1 Gen 2005
← Torna alle pubblicazioni
Rivista
Fonte dati: ARCHIVIO
Autori:
Silvia Scalese
,
Vittorio Privitera
,
Antonino La Magna
Editore
New York, NY: Electrochemical Society, 1948-
Fonte
Journal of the Electrochemical Society
ID archivio
7b09193d2242019fdc4ea236f76dd040
Riferimenti
Volume: 152 Issue: 4 Pages: G277
Apri pubblicazione