Im ternären System Ge‐Se‐Te ist seit den 1960er Jahren eine hexagonale Phase mit der annähernden Zusammensetzung GeSe0.75Te0.25 bekannt, aber ihre Struktur blieb ungeklärt. Durch chemischen Transport gelang nun die Zucht von Einkristallen zur Bestimmung der Ge4Se3Te‐Struktur. Diese besteht aus Schichten, die – wie elektronenmikroskopische Analysen erhärten – über van‐der‐Waals‐artige schwache Chalkogen‐Chalkogen‐, aber auch über unerwartete Ge‐Ge‐Wechselwirkungen verbunden sind. Die Art der elektronischen Struktur von Ge4Se3Te wurde durch Analyse der chemischen Bindungen bestimmt, speziell mithilfe der neu eingeführten Energiedichte(DOE)‐Funktion. Die bindenden Ge‐Ge‐Wechselwirkungen dienen der Aufnahme von Elektronen, die ansonsten antibindende Ge‐Te‐Zustände einnähmen.