In figura 2.3 viene mostrato l’andamento delle bande di una struttura MOS ideale con semiconduttore di tipo p in cui vengono definite tutte le grandezze caratteristiche, come le funzioni di lavoro del metallo () m qφ e del semiconduttore () s qφ, l’affinità elettronica del semiconduttore (qχ) e la differenza tra il livello di Fermi intrinseco Ei ed estrinseco EF