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Type: 
Journal
Description: 
In figura 2.3 viene mostrato l’andamento delle bande di una struttura MOS ideale con semiconduttore di tipo p in cui vengono definite tutte le grandezze caratteristiche, come le funzioni di lavoro del metallo () m qφ e del semiconduttore () s qφ, l’affinità elettronica del semiconduttore (qχ) e la differenza tra il livello di Fermi intrinseco Ei ed estrinseco EF
Publisher: 
Publication date: 
1 Jan 2005
Authors: 
Biblio References: 
Volume: 487 Pages: 237-241
Origin: 
Thin Solid Films